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Power TOPLED(R) Hyper-Bright LED
Vorlaufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale * * * * * * * * Gehausebauform: P-LCC-4 Gehausefarbe: wei als optischer Indikator einsetzbar zur Hintergrundbeleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung fur alle SMT-Bestucktechniken geeignet gegurtet (8 mm-Filmgurt) JEDEC Level 3 nur IR Reflow Loten
LY E676
Features * * * * * * * * P-LCC-4 package color of package: white for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly methods available taped on reel (8 mm tape) JEDEC Level 3 IR reflow soldering only
Typ
Emissionsfarbe Color of Emission
Type
Farbe der Lichtaustrittsflache Color of the Light Emitting Area colorless clear
Lichtstarke
Lichtstrom
Bestellnummer
Luminous Intensity IF = 50 mA I V (mcd) 250 320 400 500 ... ... ... ... 400 500 630 800
Luminous Flux IF = 50 mA V (mlm) 900 (typ.) 1200 (typ.) 1500 (typ.) 1800 (typ.)
Ordering Code
LY E676 LY E676-T1 LY E676-T2 LY E676-U1 LY E676-U2
yellow
Q62703-Q3759
Streuung der Lichtstarke in einer Verpackungseinheit I V max / I V min 1.6. Luminous intensity ratio in one packaging unit I V max / I V min 1.6. Helligkeitswerte werden bei einer Strompulsdauer von 25 ms spezifiziert. Luminous intensity is specified at a current pulse duration of 25 ms.
Semiconductor Group
1
1998-11-05
VPL06837
LY E676
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlastrom Forward current Sperrspanung1) Reverse voltage1) Verlustleistung Power dissipation TA 25 C Warmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*) (Padgroe 12 mm2) mounted on PC board*) (pad size 12 mm2)
1) 1)
Symbol Symbol
Werte Values - 40 ... + 100 - 40 ... + 100 + 120 50 3 130
Einheit Unit C C C mA V mW
Top Tstg Tj IF VR Ptot
Rth JA
290
K/W
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden. Reverse biasing should be avoided.
*) PC-board: FR4
Semiconductor Group
2
1998-11-05
LY E676
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlange des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 50 mA Dominantwellenlange 2) Dominant wavelength 2) IF = 50 mA Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max Spectral bandwidth at 50% Irel max IF = 50 mA Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50% Iv Durchlaspannung 1) Forward voltage 1) IF = 50 mA Sperrstrom Reverse current VR = 3 V Temperaturkoeffizient von dom (IF = 50 mA) Temperature coefficient of dom (IF = 50 mA) Temperaturkoeffizient von peak (IF = 50 mA) Temperature coefficient of peak (IF = 50 mA) Temperaturkoeffizient von VF (IF = 50 mA) Temperature coefficient of VF (IF = 50 mA) Temperaturkoeffizient von IV (IF = 50 mA) Temperature coefficient of IV (IF = 50 mA) Symbol Symbol typ. Werte Values max. - nm 594 Einheit Unit
peak
dom
590
-
nm
17
-
nm
2
120 2.1
- 2.55
Grad deg. V
VF
IR
0.01
10
A
TC TC TCV TCI
t.b.d. t.b.d. t.b.d. t.b.d.
- - - -
nm/K nm/K mV/K %/K
V
1)
Durchlaspannungsgruppen Forward voltage groups Durchlaspannung Forward voltage min. max. 2.25 2.55 V V 1.85 2.15 Einheit Unit
2)
Wellenlangengruppen Wavelength groups Wellenlange Wavelength min. max. 590 593 596 nm nm nm 585 588 591 Einheit Unit
Gruppe Group
Gruppe Group 1 2 3
1 2
Semiconductor Group
3
1998-11-05
LY E676
Relative spektrale Emission Irel = f (), TA = 25 C, IF = 50 mA Relative spectral emission V() = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve
100 rel % 80
OHL00443
V
60
yellow
40
20
0 400
450
500
550
600
650
nm
700
Abstrahlcharakteristik Irel = f () Radiation characteristic
40 30 20 10 0
OHL01660
1.0
50
0.8
0.6 60 0.4 70 0.2 80 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 0
Semiconductor Group
4
1998-11-05
LY E676
Durchlastrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 C
10 2
OHL00444
Relative Lichtstarke IV/IV(50 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 C
V 10 1
OHL00445
F mA
10 1 5
V (50 mA) 10 0 5
10 0 5
10 -1 5
10 -1 5
10 -2 5
10 -2 1.6
1.8
2.0
2.2
V VF
2.4
10 -3 -1 10
5 10 0
5 10 1
F
mA 10 2
Maximal zulassiger Durchlastrom Max. permissible forward current IF = f (TA)
100
OHL00446
F mA
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80 C 100 TA
Semiconductor Group
5
1998-11-05
LY E676
Mazeichnung Package Outlines
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
3.0 2.6 2.3 2.1 0.8 0.6 A C 0.1 typ
2.1 1.7
0.9 0.7
(2.4)
3.4 3.0
C
C
1.1 0.5
3.7 3.3
package marking
A: Anode C: Cathode
0.18 0.12
0.6 0.4
Empfehlung Lotpaddesign Recommended Pad
Infrarot/Vapor-Phase Reflow-Lotung Infrared Vapor-Phase Reflow-Soldering
3.3 0.4 2.6 1.1
3.3
0.5
4.2
Padgeometrie fur verbesserte Warmeableitung Paddesign for improved heat dissipation Lotstoplack solder resist Cu Flache / Cu-area = 12 mm 2 per pad
1.85
7.5
Semiconductor Group
6
1998-11-05
OHLP0439
GPL06991
LY E676
Gurtung Taping
C
C
C
A
Semiconductor Group
7
1998-11-05
OHA00440

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Price & Availability of Q62703-Q3759

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